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Präzise Tests von GaN- und SiC-Halbleitern

19. April 2022 - Teledyne LeCroy präsentiert den neuen DL-ISO High Voltage Optically Isolated 1 GHz Tastkopf und eine neue Power-Device Testsoftware, die in Kombination mit den High Definition Oszilloskopen (HDO) eine sehr genaue elektrische Charakterisierung von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleitern ermöglicht. Der neue optisch isolierte Hochspannungstastkopf DL-ISO ermöglicht Messungen an GaN- und SiC-Leistungshalbleiterbauelementen mit höchster Zuverlässigkeit mit hoher Signaltreue, geringem Überschwingen und hoher Genauigkeit mit den HDO-Oszilloskopen mit 12 Bit Vertikalauflösung von Teledyne LeCroy.

Die Bandbreite von 1 GHz erfüllt die Anforderungen zur Messung von 1-ns-Anstiegszeiten von GaN-Bauelementen. Die HDO Oszilloskope bieten außerdem eine Abtastrate von bis zu 20 GS/s bei einer Auflösung von 12 Bit für die originalgetreue Erfassung und Anzeige der sehr schnellen Signale bei GaN- und SiC-Bauelementen. Diese Kombination aus bester Signaltreue, geringem Überschwingen, hoher Genauigkeit, hoher Bandbreite und hoher Abtastrate ist für die erfolgreiche Implementierung von GaN- und SiC-Technologien in neue Designs von entscheidender Bedeutung. Das neue Power-Device-Softwarepaket von Teledyne LeCroy vereinfacht zusätzlich die Analyse von GaN- und SiC-Bauelementen mit automatisierten JEDEC-Schaltverlustmessungen und weiteren Messfunktionen sowie farbkodierten Overlays zur Hervorhebung der relevanten vermessenen Signalbereiche.

Die DL-ISO-Tastköpfe werden mit Bandbreiten von 350 MHz, 700 MHz und 1 GHz angeboten.

www.teledynelecroy.com/