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GaN-Test und Charakterisierung mit Dynamic Power Device Analyzer

Keysight PD1500A04. Juni 2021 – Keysight Technologies stellt eine optimierte Galliumnitrid (GaN)-Testplatine für den Dynamic Power Device Analyzer/Doppelpulstester PD1500A des Unternehmens vor, mit der Entwickler von Stromrichtern die Prototypenzyklen reduzieren und die Einführung neuer Produkte beschleunigen können. Das neue GaN-Testboard ermöglicht eine reproduzierbare und zuverlässige Charakterisierung dieser schnell schaltenden Bauelementen.

Stromrichter sind eine Schlüsselkomponente für die Elektrifizierung der Märkte für Transport, erneuerbare Energien und Industrie. Bei der Elektromobilität besteht die Hauptanwendung des Stromrichters (d. h. des Traktionswechselrichters) darin, die im Hochspannungs-Batteriepack eines Elektrofahrzeugs (EVs) gespeicherte Energie effizient umzuwandeln, um den Wechselstrommotor anzutreiben. Es gibt viele andere Anwendungen für den Stromrichter in EVs, einschließlich des On-Board-Ladegeräts, das die Schlüsselverbindung für Fahrzeug-zu-Netz-Anwendungen ist.

Um Fortschritte im Design von Stromrichtern zu ermöglichen, werden neue Wide-Bandgap- (WBG-) Halbleitertechnologien auf den Markt gebracht, die Verbesserungen bei Geschwindigkeit, Spannung und thermischem Verhalten bieten. Dies wiederum verbessert den Wirkungsgrad, während die Größe und die Kosten sinken. Allerdings erweist sich das Design der resultierenden Hochleistungs-Leistungswandler als schwierig.

Um eine konsistente, zuverlässige Charakterisierung von WBG-Halbleitern zu ermöglichen, hat Keysight die Dynamic Power Device Analyzer Plattform PD1500A entwickelt. Der PD1500A ist modular aufgebaut und ermöglicht die Charakterisierung von diskreten Silizium- (Si-) und Siliziumkarbid- (SiC-) basierten Leitungsbauelementen. Mit dem neuen maßgeschneiderten GaN-Testboard liefert der PD1500A von Keysight eine reproduzierbare und zuverlässige Charakterisierung für schneller schaltende Bauelemente.

GaN zielt derzeit nur auf On-Board-Ladegeräte und DC/DC-Wandler in EVs ab. Mit dem Aufkommen von vertikalem GaN wird jedoch erwartet, dass die Betriebsspannungen zu SiC aufschließen werden (1,2 kV und höher), was GaN zu einer potenziellen Wahl für Anwendungen mit höherer Leistung in der E-Mobilität macht.

Die Messtechnik von Keysight ermöglicht eine kommerziell verfügbare Lösung für die reproduzierbare und zuverlässige Charakterisierung von GaN-Leistungsbauelementen und beschleunigt die Fähigkeit von OEMs und Tier-1-Unternehmen, wettbewerbsfähige EV-Technologie auf den Markt zu bringen.

www.keysight.com/



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